1. Hva er en GaN -lader
Galliumnitrid er en ny type halvledermateriale, som har egenskapene til stort båndgap, høy termisk ledningsevne, høy temperaturmotstand, strålingsmotstand, syre og alkali -motstand, høy styrke og høy hardhet.
Det er mye brukt i nye energikjøretøyer, jernbanetransport, smart nett, halvlederbelysning, ny generasjons mobilkommunikasjon, og er kjent som tredje generasjons halvledermateriale.Ettersom kostnadene for teknologiske gjennombrudd kontrolleres, er galliumnitrid for tiden brukt i forbrukerelektronikk og andre felt, og ladere er en av dem.
Vi vet at det grunnleggende materialet i de fleste bransjer er silisium, og silisium er et veldig viktig materiale fra elektronikkindustriens perspektiv.Men ettersom grensen for silisium gradvis nærmer seg, har i utgangspunktet utviklingen av silisium nådd en flaskehals nå, og mange bransjer har begynt å jobbe hardt for å finne mer passende alternativer, og galliumnitrid har kommet inn i folks øyne på denne måten.
2. Forskjellen mellom GaN -ladere og vanlige ladere
Smertepunktet med tradisjonelle ladere er at de er store i antall, store størrelser og upraktiske å bære, spesielt nå som mobiltelefoner blir større og større, og mobiltelefonladere blir større og større.Fremveksten av GaN -ladere har løst dette livsproblemet.
Galliumnitrid er en ny type halvledermateriale som kan erstatte silisium og germanium.Byttefrekvensen til galliumnitridbryterrøret laget av det er kraftig forbedret, men tapet er mindre.På denne måten kan laderen bruke mindre transformatorer og andre induktive komponenter, og dermed effektivt redusere størrelsen, redusere varmeproduksjonen og forbedre effektiviteten.For å si det mer sløvt, er GaN -laderen mindre, ladehastigheten er raskere og kraften er høyere.
Den største fordelen med GAN -laderen er at den ikke bare er liten i størrelse, men kraften har blitt større.Generelt vil en GaN-lader ha Multi-Port USB-porter som kan brukes til to mobiltelefoner og en bærbar PC samtidig.Tre ladere var påkrevd før, men nå kan man gjøre det.Ladere som bruker galliumnitridkomponenter er mindre og lettere, kan oppnå raskere lading og bedre kontrollere varmeproduksjonen under lading, noe som reduserer risikoen for overoppheting under lading.I tillegg, med teknisk støtte fra galliumnitrid, forventes også hurtigladekraften til telefonen å treffe en ny høyde.
I fremtiden vil mobiltelefonbatteriene våre bli større og større.For tiden er det fremdeles visse utfordringer innen teknologi, men i fremtiden er det mulig å bruke GaN -lader for å lade mobiltelefonene våre raskere og raskere.Den nåværende ulempen er at GaN -laderen er litt dyrere, men med fremme av teknologi og flere og flere som godkjenner dem, vil kostnadene falle raskt.
Innleggstid: 11. oktober 2022
